와이드 밴드갭 테스트:
Power 애플리케이션 및 검증 테스트 솔루션 (with Isovu 프로브)
- 파워 디바이스를 위한 와이드 밴드갭 테스트 문제 및 측정 기술 (SiC and GaN)
와이드밴드갭(WBG: Wide Band Gap) 반도체는 실리콘 카바이트(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 를 기반으로 한 차세대 반도체입니다. 와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 실리콘 반도체보다 훨씬 작고 빠르며 효율적입니다. 기존 반도체보다 우수한 전기적 특성을 갖고 있는 것이 특징으로 보다 넓은 동작구간에서 에너지 전달 및 동작이 가능하여 더 높은 온도, 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 스피드 등 하에서 탁월한 성과를 나타납니다.
이 세션에서는 와이드 밴드갭 테스트 문제, 측정 기술, 스코프, 프로빙 기술 및 테스트 장비의 필요성에 대해 다룰 예정이며, 여기에는 와이드 밴드갭 반도체 디바이스에서 나타나는 어려운 문제를 해결하는 데 도움을 줄 수 있는 자동화된 테스트 소프트웨어에 대한 요구 사항이 포함됩니다.
- IsoVu Probe 최상의 성능으로 사용하기
지난 해 텍트로닉스 혁신 포럼 (TIF 2021)에서 가장 인기 있었던 “전원 설계” 세션을 살펴봅니다. 세계적인 시장 조사 기관인 Yole Development와 함께 전원 설계 시장의 트렌드를 살펴보고, 전원 설계 시장의 공급망과 그 안의 테크 기업들의 움직임을 살펴봅니다. 이어 전원 설계 시장의 부품 분야에서 가장 화두인 와이드밴드갭 반도체의 측정을 가능하게 해주는 텍트로닉스 IsoVu 프로브의 사용 방법을 꼼꼼히 살펴봅니다.
IsoVu 측정 시스템은 모든 고전압 차동 프로브 중 가장 높은 커먼 모드 제거 성능을 제공합니다. 그러나 이 프로브를 최상의 성능으로 사용하기 위해서는, 가장 적합한 응용 분야에 대한 이해가 필요합니다. 이 세션에서는 질화 갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC) FET에서 하이사이드 게이트 측정을 위해 IsoVu를 올바르게 사용하는 방법을 설명합니다. 또한 IsoVu의 설계로 사용자가 커먼 모드 간섭을 통해 피어링할 수 있는 광대역 갭 테스트 이외의 응용 프로그램도 논의할 것입니다.
세션 안내
| TIME | SESSION |
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| 10:30 - 11:00 |
Wide Bandgap Applications and Validation
- 와이드 밴드갭 기술의 중요성 (SiC 및 GaN의 소재적 특성)
- 전력 반도체 테스트를 지원하는 테스트 장비 셋업 - 주요 테스트 텍트로닉스
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| 11:00 - 11:30 |
Using IsoVu isolated Differential Probes
- IsoVu 프로브
- IsoVu 프로브 효율적으로 사용하기 - IsoVu 프로브 사용 분야 알아보기 텍트로닉스
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발표자 소개
